電子器件溫度控制技術(shù)

　　電子器件溫度控制技術(shù)

　　王文李慶友

　　（上海交通大學(xué)制冷與低溫工程研究所上海）

　　摘要：隨著電子器件的高頻、高速以及集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展和MEMS(MicroElectronicalMechanicalSystem)技術(shù)的進(jìn)步，電子元器件的總功率密度大幅度增長(zhǎng)而物理尺寸卻越來(lái)越小，熱流密度也隨之增加，所以高溫的溫度環(huán)境勢(shì)必會(huì)影響電子元器件的性能，這就要求對(duì)其進(jìn)行更加高效的熱控制。因此，有效解決電子元器件的散熱問(wèn)題已成為當(dāng)前電子元器件和電子設(shè)備制造的關(guān)鍵技術(shù)。本文針對(duì)電子元器件的散熱與冷卻問(wèn)題，綜述了當(dāng)前應(yīng)用研究中不同的散熱和冷卻方法，并進(jìn)行了適當(dāng)?shù)姆治觥?/p>

　　關(guān)鍵詞：散熱，冷卻，電子器件

　　1、引言

　　近幾年來(lái)特別是微電子機(jī)械(MEMS)技術(shù)發(fā)展十分迅猛，并逐漸拓展于多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合,微小型化已成為當(dāng)代科技發(fā)展的重要方向之一。微型制冷技術(shù)既依賴于MEMS技術(shù)的發(fā)展，也同時(shí)是MEMS技術(shù)發(fā)展的需要。眾所周知，集成電路技術(shù)的快速發(fā)展，導(dǎo)致各種電子器件和產(chǎn)品的體積越來(lái)越小，集成器件周圍的熱流密度越來(lái)越大，以計(jì)算機(jī)CPU為例，其運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的熱流密度已經(jīng)達(dá)到60-100W/cm2，半導(dǎo)體激光器中甚至達(dá)到103W/cm2數(shù)量級(jí)。另一方面，電子器件工作的可靠性對(duì)溫度卻十分敏感，器件溫度在70-80水平上每增加1，可靠性就會(huì)下降5%。較高的溫度水平已日益成為制約電子器件性能的瓶頸，而高效電子器件的溫度控制目前已經(jīng)漸漸成為一個(gè)研究熱點(diǎn)。

　　電子器件的溫度控制（或稱熱控制）的目的是保證其工作的穩(wěn)定性和可靠性，其中涉及的傳熱學(xué)、流體力學(xué)、材料等多個(gè)學(xué)科背景。從實(shí)施的角度看，電子器件的溫度控制一般可分為被動(dòng)控制和主動(dòng)控制。

　　⊥54⊥、被動(dòng)溫控技術(shù)

　　被動(dòng)控制指利用高導(dǎo)熱材料作為熱橋與熱沉或熱源形成一個(gè)傳熱通道，從而使熱橋另一端的器件維持在某個(gè)設(shè)計(jì)溫度范圍內(nèi)，大多數(shù)情況下這里的熱沉是依靠自然對(duì)流或輻射換熱向環(huán)境散熱的金屬框架、具有專門的散熱片等；或者根據(jù)對(duì)象的需要，在局部設(shè)計(jì)絕熱結(jié)構(gòu)以隔絕溫度敏感元件與一些熱源的主要傳遞途徑；也有根據(jù)需要在一些局部設(shè)計(jì)相變材料作為儲(chǔ)能和釋能的單元維持溫控需要的能量。

　　2.1自然散熱或冷卻方法

　　自然散熱或冷卻方法是指不使用任何外部輔助能量的情況下，實(shí)現(xiàn)局部發(fā)熱器件向周圍環(huán)境散熱達(dá)到溫度控制的目的，這其中通常都包含了導(dǎo)熱、對(duì)流和輻射三種主要傳熱方式，其中對(duì)流以自然對(duì)流方式為主，自然散熱或冷卻往往適用對(duì)溫度控制要求不高、器件發(fā)熱的熱流密度不大的低功耗器件和部件，以及密封或密集組裝的器件不宜（或不需要）采用其它冷卻技術(shù)的情況下。有時(shí)，也因地制宜利用被控部件自身特點(diǎn)增強(qiáng)與鄰近熱沉的導(dǎo)熱或輻射、通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)強(qiáng)化自然對(duì)流，在一定程度上提高系統(tǒng)向環(huán)境散熱能力。

　　2.2輻射換熱

　　在空氣稀薄、環(huán)境溫度較高和較低溫度的場(chǎng)合輻射換熱則在其中占較大比重。輻射換熱的換熱量主要與換熱體之間的溫度水平以及溫度差、換熱體表面吸收率和發(fā)射率、換熱體之間的相對(duì)位置關(guān)系等。以航天領(lǐng)域電子器件溫度控制為例，由于帶有電子器件的物體大多處于空氣稀薄環(huán)境，輻射換熱是其主要手段，在熱控設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮輻射換熱面的表面涂層、換熱面的折疊、遮掩與展現(xiàn)等。

　　2.3相變蓄熱的應(yīng)用

　　物質(zhì)發(fā)生相變時(shí)，通常伴隨著大量的相變潛熱。利用其這一特性，可以在短暫使用或者熱流密度很大,而且很難組織與環(huán)境有效的熱交換的應(yīng)用場(chǎng)合，通常可以考慮選擇一些常壓下在某些電子器件工作溫度區(qū)段進(jìn)行固液相變的材料，可利用相變材料相變潛熱吸收一定時(shí)段內(nèi)運(yùn)行的電子器件（如移動(dòng)電話、便攜式電腦）產(chǎn)生熱量，從而對(duì)電子器件進(jìn)行保護(hù)。相變蓄熱材料分石蠟類、非石蠟類、無(wú)機(jī)鹽水合物、金屬等。

　　⊥5、主動(dòng)溫控技術(shù)

　　主動(dòng)溫控通常指另外增加動(dòng)力對(duì)某些器件進(jìn)行溫度控制，例如電加熱提高溫度、風(fēng)扇造成強(qiáng)制對(duì)流換熱、依靠各種形式的泵提供驅(qū)動(dòng)的液體冷卻系統(tǒng)，以及利用制冷或熱泵技術(shù)形成局部的熱源或熱沉進(jìn)行更強(qiáng)的溫度控制等。

　　3.1強(qiáng)制散熱或冷卻方法

　　強(qiáng)制散熱或冷卻方法主要是借助于風(fēng)扇等強(qiáng)迫器件周邊空氣流動(dòng)，從而將器件散發(fā)出的熱量帶走的一種方法。這種方法是一種操作簡(jiǎn)便、收效明顯的散熱方法。如果部件內(nèi)元器件之間的空間適合空氣流動(dòng)或適于安裝局部散熱器，就可盡量使用這種冷卻方法。提高這種強(qiáng)迫對(duì)流傳熱能力的方法主要有：增大散熱面積（散熱片）和在散熱表面產(chǎn)生比較大的強(qiáng)迫對(duì)流傳熱系數(shù)（紊流器、噴射沖擊、靜電作用）。增大散熱器表面的散熱面積來(lái)增強(qiáng)電子元器件的散熱，在實(shí)際工程中得到了非常廣泛的應(yīng)用。工程中主要是采用肋片來(lái)擴(kuò)展散熱器表面的散熱面積以達(dá)到強(qiáng)化傳熱的目的。肋片式散熱器又稱氣冷式冷板，如：型材、叉指、針狀等各種型式，長(zhǎng)期、廣泛地作為熱耗電子器件的延伸表面與所處環(huán)境（主要是空氣）的換熱器件。如普通臺(tái)式電腦芯片上肋片散熱器和風(fēng)扇等。如果在散熱器（熱沉）上加工上微通道，這樣可以減小熱沉熱阻，進(jìn)一步提高散熱效果。例如，冷卻大功率半導(dǎo)體激光器的微通道熱沉[5]。對(duì)一些較大功率的電子器件，在現(xiàn)有型材散熱器中增加數(shù)小片擾流片在散熱器表面的流場(chǎng)中引入紊流可以顯著提高換熱效果。

　　當(dāng)然，散熱器本身材料的選擇跟其散熱性能有著直接的關(guān)系。目前，散熱器的材料主要是用銅或鋁，其擴(kuò)展換熱面經(jīng)折疊鰭/沖壓薄鰭等工藝制成，其特點(diǎn)主要是導(dǎo)熱系數(shù)高、延展性好和性質(zhì)穩(wěn)定等。另外，隨著MEMS技術(shù)發(fā)展，硅基加工技術(shù)越來(lái)越成熟，將散熱結(jié)構(gòu)與集成電路制造統(tǒng)一起來(lái)也是集成電路設(shè)計(jì)和制造一個(gè)發(fā)展方向。此外，在一些特殊場(chǎng)合新材料技術(shù)也在不斷發(fā)展，例如，電絕緣、高導(dǎo)熱率的陶瓷材料的開發(fā)與制造等。

　　3.2液體冷卻方法

　　對(duì)電子元器件采用液體冷卻的方法進(jìn)行散熱，主要是針對(duì)芯片或芯片組件提出的概念。液體冷卻包括直接冷卻和間接冷卻。間接液體冷卻法就是液體冷卻劑不與電子元件直接接觸，而熱量經(jīng)中間媒介或系統(tǒng)（如液冷模塊、導(dǎo)熱模塊、噴射液冷模塊、液冷基板等）從發(fā)熱元件傳遞給液體。通常需要在這種系統(tǒng)中配置泵以維持液體的循環(huán)，例如在近幾年的臺(tái)式機(jī)和筆記本產(chǎn)品中有采用水冷系統(tǒng)散熱結(jié)構(gòu)。近年來(lái)為了滿足不斷增長(zhǎng)的芯片級(jí)液體冷卻需求，伴隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展，各種微泵技術(shù)獲得了極大的發(fā)展。比較典型的微泵主要是由硅、高分子材料、壓電材料等組成的各種振膜式壓縮機(jī)。

　　直接液體冷卻法（又稱浸入冷卻）是指液體與電子元件直接接觸，由冷卻劑吸熱并將熱量帶走，它適用于熱耗體積密度很高或那些必須在高溫環(huán)境下工作且器件與被冷卻表面之間的溫度梯度又很小的部件以及高度封裝或大功率電子器件的2-D或3-D封裝。例如，在一些高速計(jì)算機(jī)里直接把電子器件浸在氟化烴溶液中，利用它進(jìn)行直接冷卻。也有研究者提出了一種振動(dòng)誘導(dǎo)霧化冷卻系統(tǒng)，這是一種液滴冷卻技術(shù)。其特點(diǎn)是：使用電介質(zhì)冷卻液作為工作介質(zhì)，通過(guò)控制液滴直徑和頻率來(lái)控制冷卻功率，可以被用來(lái)冷卻芯片。

　　3.3制冷方式或冷卻方法

　　制冷從客觀上講，就是給高溫?zé)嵩刺峁┮粋€(gè)連續(xù)低溫的熱源，使其溫度得到控制。從制冷的方式來(lái)講，在電子器件中采用主要有利用制冷劑相變制冷和Peltier效應(yīng)制冷。

　　制冷劑的相變冷卻

　　這是利用制冷劑發(fā)生相變時(shí)大量吸收熱量的特性，在特定場(chǎng)合下對(duì)電子器件進(jìn)行冷卻。一般所說(shuō)的相變冷卻主要指制冷劑蒸發(fā)從環(huán)境吸熱，其包括兩種情況：容積沸騰（靜止液體沸騰，又叫池沸騰）和流動(dòng)沸騰。IBM公司曾研制出采用浸漬式池狀沸騰冷卻方案的液體封裝組件（LEM），它的換熱系數(shù)可高達(dá)1700～5700W/m2·K，組件的熱耗量達(dá)300W。然而，對(duì)于相變冷卻的應(yīng)用，還有一些技術(shù)問(wèn)題尚待解決，特別是流動(dòng)沸騰。

　　在某些情況下，深冷技術(shù)也在電子元器件冷卻方面發(fā)揮了重要的作用。如ETA大型計(jì)算機(jī)就是使用了深冷技術(shù)。對(duì)于某些大功率巨型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其芯片的冷卻也可以采用循環(huán)效率較高的蒸汽壓縮式制冷裝置。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是制冷量及制冷溫度范圍方面均比較寬廣，機(jī)器設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，循環(huán)效率可達(dá)4.0，比熱電制冷高一個(gè)數(shù)量級(jí)。

　　Peltier制冷

　　用制冷的方式來(lái)散熱或冷卻常規(guī)的電子元器件，制冷裝置體積小、質(zhì)量輕、安裝和拆卸要方便往往是首要考慮的因素，而小型的半導(dǎo)體制冷就符合這樣的要求。半導(dǎo)體制冷又稱熱電制冷，是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)。當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，從而實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)件，可靠性也比較高，主要缺點(diǎn)是效率較低、成本高，只適用于體積緊湊、制冷要求不高等特殊場(chǎng)合。其散熱溫度≤100℃；冷卻負(fù)載≤300W。

　　⊥54⊥．電子器件溫度控制中的熱管技術(shù)

　　在電子器件的熱設(shè)計(jì)中，常常因?yàn)殡娐钒蹇臻g十分有限，需要將電子器件所散發(fā)出的熱量傳遞到另外一個(gè)地方集中或更高效地向環(huán)境散熱。隨著電子電路集成化程度越來(lái)越高，各種大功率電子器件容量的逐漸增加，電子器件或裝置物理尺寸越來(lái)越小，這就要求散熱裝置本身必須具有良好的散熱條件。同時(shí)，散熱裝置的布置和設(shè)計(jì)遇到的約束也越來(lái)越嚴(yán)重。以微電子芯片為例[2]，目前一般已達(dá)到60~90W/cm2，最高已達(dá)200W/cm2。傳統(tǒng)的強(qiáng)制風(fēng)冷只能用于熱流密度不大于10W/cm2，對(duì)于這種情況已顯得無(wú)能為力，而進(jìn)一步提高擴(kuò)展散熱面往往受當(dāng)?shù)乜臻g的限制。例如對(duì)常規(guī)大功率半導(dǎo)體元件如二極管、可控硅整流器、大規(guī)模集成芯片（LSIchip）的冷卻常規(guī)的擠壓成形的翅片鋁板散熱器在散熱量達(dá)到1000W以上時(shí)，鋁板的受熱就受到了限制，而實(shí)踐表明熱管散熱器在這方面有著無(wú)可厚非的優(yōu)勢(shì)，與鋁板散熱器相比，其不但重量可減輕50%，而且還可以節(jié)省60%的有用空間。熱管由于具有極高的導(dǎo)熱性、優(yōu)良的等溫性、熱流密度可變性、流動(dòng)方向的可逆性、恒溫特性（可控?zé)峁埽┖土己玫沫h(huán)境適應(yīng)性等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)在電氣設(shè)備、電子元器件冷卻、半導(dǎo)體元件以及大規(guī)模集成電路板等場(chǎng)合的溫度控制中得到了廣泛的應(yīng)用，它在大多數(shù)情況下可以滿足電子電氣設(shè)備對(duì)散熱裝置緊湊、可靠、控制靈活、高散熱效率等要求。

　　熱管應(yīng)用始于航天工程的需要，隨著電子元器件、集成電路溫度控制的需要，小型和微型槽道熱管技術(shù)的發(fā)展獲得了廣泛關(guān)注，此外毛細(xì)泵回路、脈動(dòng)熱管等發(fā)展也十分迅速。熱管應(yīng)用中另一個(gè)需要關(guān)注的問(wèn)題是可靠性，由于其制造材料、工藝、管內(nèi)潔凈度等問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致一段時(shí)間后傳熱性能下降，所以要嚴(yán)格控制其產(chǎn)品質(zhì)量，進(jìn)行老化試驗(yàn)同時(shí)必須對(duì)被冷卻的器件進(jìn)行溫度監(jiān)控。

　　5.熱隔離方法

　　熱隔離即絕熱，這里主要指根據(jù)關(guān)鍵部件溫度控制的需要，將其與一些對(duì)其溫度波動(dòng)影響較大的對(duì)象進(jìn)行絕熱。從傳熱原理角度來(lái)說(shuō)，絕熱可以分為真空絕熱和非真空絕熱[17]，而在電子元件上溫度控制上普遍應(yīng)用的基本上是非真空絕熱。非真空絕熱是借助于低導(dǎo)熱系數(shù)的絕熱材料來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這種絕熱形式又稱為容積絕熱，因?yàn)槠浣^熱效果與絕熱材料的厚度有關(guān)。此外材料的導(dǎo)熱系數(shù)等物性參數(shù)對(duì)隔熱效果的影響很大。

　　這種方法主要應(yīng)用在需要控制局部器件的溫度，而阻止某些方面的高溫器件或物體對(duì)特殊受控部分可能產(chǎn)生的升溫影響。可以保證特殊受控元件的可靠、正常工作，從而延長(zhǎng)整個(gè)設(shè)備的工作壽命。

　　需要指出的是，由于電子器件溫度控制的市場(chǎng)需求非常大，新的技術(shù)不斷有研究者提出并深入開發(fā)。例如現(xiàn)有制冷系統(tǒng)的微型化，包括前面提及的壓縮制冷的微型化，以及機(jī)構(gòu)比較簡(jiǎn)單的脈沖管制冷系統(tǒng)以及熱聲制冷系統(tǒng)的微型化等也有人在探討。結(jié)合微泵技術(shù)，微型噴濺冷卻也是一有潛力的技術(shù)，其結(jié)構(gòu)也非常簡(jiǎn)單，主要由一個(gè)腔體和一個(gè)驅(qū)動(dòng)膜片構(gòu)成。工質(zhì)一般為氣體，在驅(qū)動(dòng)膜片對(duì)面的腔體壁上開一小孔或狹縫。當(dāng)膜片的振動(dòng)頻率足夠大時(shí)，就會(huì)在空外形成連續(xù)的射流場(chǎng)。據(jù)報(bào)道，主流區(qū)的最大噴射速度可達(dá)30m/s。這種方法在微電子器件冷卻方面應(yīng)用前景非常廣闊。

　　6、熱分析以及散熱或冷卻方法的選擇

　　在對(duì)電子器件及其系統(tǒng)進(jìn)行熱管理和熱設(shè)計(jì)時(shí)，首先需要對(duì)研究對(duì)象要有一盡量系統(tǒng)全面的認(rèn)識(shí)，即利用工程熱物理背景知識(shí)對(duì)部件或系統(tǒng)建立模型進(jìn)行分析，或利用現(xiàn)有的有限元工具，對(duì)虛擬系統(tǒng)進(jìn)行流場(chǎng)、溫度場(chǎng)和熱流場(chǎng)分析，將系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)與其功能設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等統(tǒng)一起來(lái)，基于樣品或樣機(jī)試驗(yàn)的基礎(chǔ)上，確定最終設(shè)計(jì)方案。

　　散熱或冷卻方法是根據(jù)質(zhì)量因素?zé)岷捏w積密度（或熱耗密度）、熱阻來(lái)選擇的。常用冷卻技術(shù)單位面積的最大功耗見表1。

　　表1：常用冷卻技術(shù)單位面積的最大功耗

　　冷卻技術(shù)

　　單位傳熱面積的最大功耗（W/cm2）

　　空氣自然對(duì)流和輻射

　　0.08

　　強(qiáng)迫風(fēng)冷

　　0.3

　　空氣冷板（加散熱片的強(qiáng)迫風(fēng)冷）

　　1.6

　　液體冷卻（強(qiáng)制間接液冷）

　　16

　　蒸發(fā)冷卻（相變冷卻）

　　5000

　　在散熱與冷卻技術(shù)權(quán)衡中應(yīng)該考慮的典型因素有：熱阻、重量、維護(hù)要求或維修性、可靠性（包括輔助設(shè)備，如風(fēng)機(jī)和泵）、費(fèi)用、制造容差、后勤狀況（特殊的元器件和冷卻劑）、熱效能、效率或有效系數(shù)、耐環(huán)境及嚴(yán)酷度（沖擊、振動(dòng)、腐蝕）、對(duì)人體的危害程度（冷卻劑或蒸汽的毒性）、尺寸、復(fù)雜性、功耗及對(duì)設(shè)備電性能的影響。

　　需要指出的是：一個(gè)冷卻方案不限于一種冷卻方式，大多數(shù)方案都是根據(jù)具體情況，包含幾種冷卻方式，相互配合使用。

　　綜上，隨著集成電路技術(shù)飛速發(fā)展，電子元件的集成密度和熱量密度都會(huì)不斷增大，它們的散熱問(wèn)題變得日益突出。因此，良好的散熱或冷卻方法是這些電子元器件發(fā)揮良好性能的有力保障。著名美國(guó)物理學(xué)家RichardP.Feynman曾于1959年12月29日在加州理工學(xué)院舉行的美國(guó)物理協(xié)會(huì)的年度會(huì)議上發(fā)表了題為“There’sPlentyofRoomattheBottom”的演講，敏銳地預(yù)言設(shè)備和系統(tǒng)的微小型化將在今后科學(xué)技術(shù)發(fā)展中占有非常廣闊的發(fā)展空間和重要意義。當(dāng)前MEMS加工技術(shù)發(fā)展非常迅猛，發(fā)展新的散熱或冷卻方式勢(shì)在必行。國(guó)內(nèi)外學(xué)者正研究和開發(fā)微型的換熱器和微型制冷系統(tǒng)，這也給微電子技術(shù)進(jìn)一步提供了契機(jī)，同時(shí)這也為現(xiàn)代傳熱學(xué)的發(fā)展注入了新的活力。

　　參考文獻(xiàn)（略）